Антава

IXYS

Транзистор IXFH110N25T

IXFH110N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
110 A
Power dissipation
694 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 256 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 123,63 ₽

Сумма · с НДС 22%2 123,63 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 123,63 ₽
от 101 749,43 ₽
от 301 325,84 ₽
от 1201 289,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH110N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current110 A
Power dissipation694 W
КорпусTO247-3
On-state resistance26 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge157nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3

Документация

Документ производителя