Антава

IXYS

Транзистор IXFH10N80P

IXFH10N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH10N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя