Антава

IXYS

Транзистор IXFH10N100P

IXFH10N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
10 A
Рассеиваемая мощность
380 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 267 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 890,45 ₽

Сумма · с НДС 22%1 890,45 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 890,45 ₽
от 51 581,00 ₽
от 101 425,34 ₽
от 301 207,79 ₽
от 601 095,26 ₽
от 1201 052,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH10N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current10 A
Рассеиваемая мощность380 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3

Документация

Документ производителя