Антава

IXYS

Транзистор IXFH100N25P

IXFH100N25P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
100A
Power dissipation
600W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH100N25P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current100A
Power dissipation600W
КорпусTO247-3
On-state resistance27mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3

Документация

Документ производителя