Антава

IXYS

Транзистор IXFB90N85X

IXFB90N85X
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850V
Drain current
90A
Power dissipation
1.785kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB90N85X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850V
Drain current90A
Power dissipation1.785kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30V
On-state resistance41mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge340nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 90A; 1785W; PLUS264™

Документация

Документ производителя