Антава

IXYS

Транзистор IXFB82N60Q3

IXFB82N60Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Q3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
82A
Power dissipation
1.56kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB82N60Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Q3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current82A
Power dissipation1.56kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30V
On-state resistance75mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge275nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns

Документация

Документ производителя