Антава

IXYS

Транзистор IXFB82N60P

IXFB82N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
82A
Power dissipation
1.25kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB82N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current82A
Power dissipation1.25kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30V
On-state resistance75mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™

Документация

Документ производителя