Антава

IXYS

Транзистор IXFB70N100X

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
70 A
Power dissipation
1.785 kW
Корпус
PLUS264™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB70N100X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™
Drain-source voltage1 kV
Drain current70 A
Power dissipation1.785 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage30 V
On-state resistance89 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time310ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 70A; 1.785kW; PLUS264™; 310ns

Документация

Документы пока не предоставлены.