Антава

IXYS

Транзистор IXFB62N80Q3

IXFB62N80Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
62 A
Power dissipation
1.56 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%9 698,80 ₽

Сумма · с НДС 22%9 698,80 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19 698,80 ₽
от 58 572,40 ₽
от 257 700,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFB62N80Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Q3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current62 A
Power dissipation1.56 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.27µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns

Документация

Документ производителя