Антава

IXYS

Транзистор IXFB52N90P

IXFB52N90P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
52 A
Power dissipation
1.25 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB52N90P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current52 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge308nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™

Документация

Документ производителя