Антава

IXYS

Транзистор IXFB44N100P

IXFB44N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
44 A
Power dissipation
1.25 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB44N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current44 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge305nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™

Документация

Документ производителя