Антава

IXYS

Транзистор IXFB40N110P

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1.1 kV
Drain current
40 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
PLUS264™
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFB40N110P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1.1 kV
Drain current40 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.1kV; 40A; 1.25kW; PLUS264™; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.