Антава

IXYS

Транзистор IXFB300N10P

IXFB300N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
300 A
Power dissipation
1.5 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB300N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current300 A
Power dissipation1.5 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge279nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™

Документация

Документ производителя