Антава

IXYS

Транзистор IXFB210N20P

IXFB210N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
210 A
Power dissipation
1.5 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB210N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current210 A
Power dissipation1.5 kW
КорпусPLUS264™
On-state resistance10.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge255nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™

Документация

Документ производителя