Антава

IXYS

Транзистор IXFB150N65X2

IXFB150N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
150 A
Power dissipation
1.56 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB150N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current150 A
Power dissipation1.56 kW
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge355nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time260ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns

Документация

Документ производителя