Антава

IXYS

Транзистор IXFB132N50P3

IXFB132N50P3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
132 A
Power dissipation
1890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFB132N50P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current132 A
Power dissipation1890 W
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge267nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns

Документация

Документ производителя