Антава

IXYS

Транзистор IXFB110N60P3

IXFB110N60P3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
110 A
Power dissipation
1890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB110N60P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current110 A
Power dissipation1890 W
КорпусPLUS264™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance56 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge254nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns

Документация

Документ производителя