Антава

IXYS

Транзистор IXFB100N50Q3

IXFB100N50Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
100A
Power dissipation
1.56kW
Корпус
PLUS264™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFB100N50Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current100A
Power dissipation1.56kW
КорпусPLUS264™
On-state resistance49mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge255nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™

Документация

Документ производителя