Антава

IXYS

Транзистор IXFA90N20X3-TRL

IXFA90N20X3-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
200 V
Drain current
90 A
Power dissipation
390 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA90N20X3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage200 V
Drain current90 A
Power dissipation390 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance12.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge78nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time95ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 200V; 90A; 390W; D2PAK,TO263; 95ns

Документация

Документы пока не предоставлены.