Антава

IXYS

Транзистор IXFA80N25X3-TRL

IXFA80N25X3-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
250 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
390 W
Корпус
D2PAK, TO263

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFA80N25X3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage250 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность390 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge83nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time110ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 80A; 390W; D2PAK,TO263; 110ns

Документация

Документы пока не предоставлены.