Антава

IXYS

Транзистор IXFA7N80P

IXFA7N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
7A
Power dissipation
200W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA7N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current7A
Power dissipation200W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.44Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns

Документация

Документ производителя