Антава

IXYS

Транзистор IXFA7N100P

IXFA7N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
7 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 132 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 696,24 ₽

Сумма · с НДС 22%1 696,24 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 696,24 ₽
от 51 358,14 ₽
от 101 200,48 ₽
от 251 025,72 ₽
от 30997,23 ₽
от 50928,85 ₽
от 100860,47 ₽
от 250799,69 ₽
от 500767,39 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFA7N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current7 A
Power dissipation300 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns

Документация

Документ производителя