Антава

IXYS

Транзистор IXFA6N120P

IXFA6N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA6N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current6 A
Power dissipation250 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.75 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263

Документация

Документ производителя