Антава

IXYS

Транзистор IXFA60N25X3-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
250 V
Drain current
60 A
Power dissipation
320 W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA60N25X3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage250 V
Drain current60 A
Power dissipation320 W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time95ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 60A; 320W; D2PAK-3; 95ns

Документация

Документы пока не предоставлены.