Антава

IXYS

Транзистор IXFA56N30X3-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
300 V
Drain current
56 A
Рассеиваемая мощность
320 W
Корпус
D2PAK-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA56N30X3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage300 V
Drain current56 A
Рассеиваемая мощность320 W
КорпусD2PAK-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time115ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 300V; 56A; 320W; D2PAK-3; 115ns

Документация

Документы пока не предоставлены.