Антава

IXYS

Транзистор IXFA56N30X3

IXFA56N30X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
56 A
Power dissipation
320 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA56N30X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current56 A
Power dissipation320 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance27 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time115ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263

Документация

Документ производителяДокумент производителя