Антава

IXYS

Транзистор IXFA4N85X

IXFA4N85X
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850V
Drain current
3.5A
Pulsed drain current
10A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA4N85X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850V
Drain current3.5A
Pulsed drain current10A
Power dissipation150W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time170ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W

Документация

Документ производителя