Антава

IXYS

Транзистор IXFA4N100P-TRL

IXFA4N100P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
4 A
Power dissipation
150 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA4N100P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1 kV
Drain current4 A
Power dissipation150 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance3.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.