Антава

IXYS

Транзистор IXFA3N120-TRR

IXFA3N120-TRR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
3A
Power dissipation
200W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA3N120-TRR
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™
Drain-source voltage1.2kV
Drain current3A
Power dissipation200W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20V
On-state resistance4.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 3A; 200W; D2PAK,TO263; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.