Антава

IXYS

Транзистор IXFA3N120-TRL

IXFA3N120-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
3 A
Power dissipation
200 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA3N120-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current3 A
Power dissipation200 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 3A; 200W; D2PAK,TO263AB; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.