IXYS
Транзистор IXFA3N120
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 3 A
- Рассеиваемая мощность
- 200 W
- Корпус
- TO263
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 299 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 288,19 ₽
Сумма · с НДС 22%2 288,19 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 288,19 ₽ | |
| от 3 | 1 476,61 ₽ | |
| от 5 | 1 434,47 ₽ | |
| от 10 | 1 383,18 ₽ | |
| от 20 | 1 337,37 ₽ | |
| от 50 | 1 278,75 ₽ | |
| от 100 | 1 234,78 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFA3N120 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 3 A |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Корпус | TO263 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 39nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.