Антава

IXYS

Транзистор IXFA22N65X2-TRL

IXFA22N65X2-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
22 A
Power dissipation
390 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA22N65X2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™
Drain-source voltage650 V
Drain current22 A
Power dissipation390 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time145ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 22A; 390W; D2PAK,TO263; 145ns

Документация

Документы пока не предоставлены.