Антава

IXYS

Транзистор IXFA20N85XHV-TRL

IXFA20N85XHV-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
850 V
Drain current
20 A
Power dissipation
540 W
Корпус
D2PAK, TO263AB

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFA20N85XHV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage850 V
Drain current20 A
Power dissipation540 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 850V; 20A; 540W; D2PAK,TO263AB; 190ns

Документация

Документы пока не предоставлены.