Антава

IXYS

Транзистор IXFA20N85XHV

IXFA20N85XHV
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850 V
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
540 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA20N85XHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850 V
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность540 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.33 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO263

Документация

Документ производителя