Антава

IXYS

Транзистор IXFA18N65X2

IXFA18N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
18 A
Power dissipation
290 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA18N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current18 A
Power dissipation290 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time135ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263

Документация

Документ производителя