IXYS
Транзистор IXFA180N10T2
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 180 A
- Power dissipation
- 480 W
- Корпус
- TO263
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 91 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 747,53 ₽
Сумма · с НДС 22%1 747,53 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 747,53 ₽ | |
| от 10 | 1 048,52 ₽ | |
| от 50 | 944,05 ₽ | |
| от 100 | 906,06 ₽ | |
| от 150 | 883,26 ₽ | |
| от 200 | 868,07 ₽ | |
| от 250 | 862,37 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFA180N10T2 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 180 A |
| Power dissipation | 480 W |
| Корпус | TO263 |
| On-state resistance | 6 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 185nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Reverse recovery time | 66ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.