Антава

IXYS

Транзистор IXFA16N50P-TRL

IXFA16N50P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™
Drain-source voltage
500V
Drain current
16A
Power dissipation
300W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA16N50P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™
Drain-source voltage500V
Drain current16A
Power dissipation300W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30V
On-state resistance0.4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 500V; 16A; 300W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.