Антава

IXYS

Транзистор IXFA14N60P-TRL

IXFA14N60P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
600 V
Drain current
14 A
Power dissipation
300 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA14N60P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage600 V
Drain current14 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.55 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 14A; 300W; D2PAK,TO263; 200ns

Документация

Документы пока не предоставлены.