Антава

IXYS

Транзистор IXFA12N65X2-TRL

IXFA12N65X2-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
12 A
Power dissipation
180 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA12N65X2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage650 V
Drain current12 A
Power dissipation180 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.5nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time155ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 12A; 180W; D2PAK,TO263; 155ns

Документация

Документы пока не предоставлены.