Антава

IXYS

Транзистор IXFA12N50P-TRL

IXFA12N50P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
500 V
Drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA12N50P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage500 V
Drain current12 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 500V; 12A; 200W; D2PAK,TO263; 300ns

Документация

Документы пока не предоставлены.