Антава

IXYS

Транзистор IXFA12N50P

IXFA12N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
12 A
Power dissipation
200 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA12N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current12 A
Power dissipation200 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263

Документация

Документ производителя