Антава

IXYS

Транзистор IXFA110N15T2

IXFA110N15T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
110 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFA110N15T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current110 A
Power dissipation480 W
КорпусTO263
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time85ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns

Документация

Документ производителя