Антава

IXYS

Транзистор IXFA10N80P

IXFA10N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 258 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 199,75 ₽

Сумма · с НДС 22%1 199,75 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 199,75 ₽
от 31 077,14 ₽
от 10641,38 ₽
от 50550,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFA10N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Power dissipation300 W
КорпусTO263
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263

Документация

Документ производителя