Антава

IXYS

Транзистор IXFA10N60P-TRL

IXFA10N60P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
600 V
Drain current
10 A
Power dissipation
200 W
Корпус
D2PAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA10N60P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage600 V
Drain current10 A
Power dissipation200 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.74 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 200W; D2PAK; 200ns

Документация

Документы пока не предоставлены.