Антава

IXYS

Транзистор IXFA102N15T

IXFA102N15T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
150 V
Drain current
102 A
Power dissipation
455 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFA102N15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage150 V
Drain current102 A
Power dissipation455 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge87nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 102A; 455W; D2PAK,TO263AB; 120ns

Документация

Документы пока не предоставлены.