Антава

IXYS

Транзистор IXDN75N120

IXDN75N120
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.2kV
Collector current
150A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXDN75N120
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current150A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current190A
Power dissipation660W
TechnologyNPT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B

Документация

Документ производителя