Антава

IXYS

Транзистор IXDH20N120

IXDH20N120
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 176 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 411,53 ₽

Сумма · с НДС 22%1 411,53 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 411,53 ₽
от 31 269,81 ₽
от 101 124,37 ₽
от 301 008,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXDH20N120
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current50 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Turn-on time175ns
Turn-off time570ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 25A; 200W; TO247-3

Документация

Документ производителя