IXYS
Транзистор IXD2012NTR
Фото уточняется
- Тип микросхемы
- driver
- Topology
- H-bridge
- Назначение
- half-bridge
- Корпус
- SOIC8
- Выходной ток
- 2.3A
- Number of channels
- 2
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IXD2012NTR |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Тип микросхемы | driver |
| Topology | H-bridge |
| Назначение | half-bridge |
| Корпус | SOIC8 |
| Выходной ток | 2.3A |
| Number of channels | 2 |
| Integrated circuit features | MOSFET |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Impulse rise time | 30ns |
| Pulse fall time | 20ns |
| Maximum output current | 2.3A |
| Напряжение питания | 10...20V |
| Power dissipation | 0.625W |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
IC: driver; H-bridge; half-bridge; SOIC8; 2.3A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.