Антава

IXYS

Транзистор IXBX75N170A

IXBX75N170A
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
65 A
Рассеиваемая мощность
1.04 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%5 124,94 ₽

Сумма · с НДС 22%5 124,94 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 124,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXBX75N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current65 A
Рассеиваемая мощность1.04 kW
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge358nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time595ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 65A; 1.04kW; PLUS247™

Документация

Документ производителя