Антава

IXYS

Транзистор IXBX75N170

IXBX75N170
Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
75 A
Power dissipation
1.04 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXBX75N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, FRED
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current75 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current580 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.35µC
Kind of packagetube
Turn-on time277ns
Turn-off time840ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 75A; 1.04kW; PLUS247™

Документация

Документ производителя